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低エネルギー逆光電子分光法（LEIPS）
分析例 同一試料の占有準位と非占有準位の測定 LEIPS で得られる非占有準位のエネルギーと、UPS（Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy）で得られる占有準位のエネルギーから、バンドの全体像がわかります。LEIPS と UPS を相補的に組み合わせることで、半導体試料の電子と空孔の両方の準位を知ることができます。 また、LEIPS の最低空
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２線源搭載ラボ型HAXPESで拡がる応用範囲
HAXPES も XPS と同様に信頼性の高いスペクトル取得が可能となり、表面分析の可能性が拡がっています。検出深さや軌道の選択範囲が広がり、さらに角度分解XPSの適用可能範囲も拡大しました。 これまでの表面だけでなく、埋もれた界面の分析から界面の検出まで、新たな応用が期待できます。 最新の技術資料として、2023年7月に開催した技術講演会の当社発表資料を掲載しました。
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デュアルX線 と デュアルイオン銃で拡がる応用範囲
自動モデルのラボ型HAXPES装置「PHI Quantes」に、内蔵型Arモノマー/GCIBデュアルイオン銃の搭載が可能に。 軟X線と硬X線のデュアルX線源とArモノマーとArガスクラスターのデュアルイオン銃を組み合わせることで、多彩なアプリケーションに対応いたします。 関連資料ダウンロード 内蔵型Arモノマー/GCIBデュアルイオン銃を搭載した PHI
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AESサーベイイメージング
サーベイイメージングでは、すべてのイメージピクセルでワイドスペクトルを測定します。 測定後にイメージコントラストが異なる領域から、ワイドスペクトルを抽出し、組成の定性や定量が容易に行える 異なる領域から抽出されたワイドスペクトルを基準として、LLS処理によるサーベイイメージの再構築ができる ワイドスペクトルで定性された元素のイメージングを測定後に再構築ができ
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反射電子エネルギー損失分光法（REELS）
分析例 REELSによるバンドギャップ測定 Siウェハ上の SiO2 熱酸化膜（25 nm）のREELSスペクトルです。入射電子より 8.8 eV低いエネルギーからピークが立ち上がっており、SiO2 膜のバンドギャップ (*1) を知ることができます。 図1. SiO2 の REELSスペクトル（入射電子：1.5 keV） REELSによる有機フィルム中の水素含有量
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走査型デュアルモノクロX線を搭載した PHI Quantes
走査型デュアルモノクロＸ線源 走査型デュアルX線源の動作原理図を示しています。硬X線（Cr Kα線）と軟X線（Al Kα線）は、ソフトウェア上で短時間のうちに切り替えることが可能です。 ２線源によるSXI シンプルなコンソール PHI Quantes は、分光器や試料搬送系、各種励起源をひとつのチャンバーに組み込み、さらに制御電源もひとつのコンソールにま
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